Beschreibung
Die Grundlage der Spintronik, bei der neben oder an Stelle der Ladung der Spin der Ladungsträger als Informationsträger ausgenutzt wird, liefert eine bisher eher wenig beachtete Eigenschaft niederdimensionaler Halbleiter- Heterostrukturen: die spinabhängige Aufspaltung der Bandstruktur im k‑Raum aufgrund der Spin- Bahn-Kopplung. Ursache für die Aufhebung der Spinentartung sind die Structure Inversion Asymmetry SIA und die Bulk Inversion Asymmetry BIA, die zu sog. k‑linearen Rashba- bzw. Dresselhaustermen im Hamiltonian führen. Die vorliegende Arbeit zeigt eine Methode auf, mit der sich unter Verwendung der Photogalvanischen Effekte das relative Verhältnis dieser k‑linearen Terme bestimmen und somit die Anisotropie der Bandaufspaltung abbilden läßt. Weiter wird gezeigt, dass durch die Variation des Abstands der deltaförmigen Dotierschicht der Rashbaterm gezielt beeinflußt werden kann. Dieses System liefert ein einfaches und geeignetes Feedback für Technologen, um Proben mit gleich großer Rashba- und Dresselhausaufspaltung zu wachsen bzw. um perfekt symmetrische Strukturen ohne Rashbaanteil zu erzeugen.